- FCP11N60
- 發(fā)布時(shí)間：2009/5/25 12:43:02 修改時(shí)間：2009/5/25 12:43:02 瀏覽次數(shù)：1959
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飛兆半導(dǎo)體推出全新高電壓SuperFET MOSFET 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出兩種高電壓MOSFET器件,采用飛兆半導(dǎo)體新型SuperFET技術(shù),能大幅降低開關(guān)電源(SMPS)和功率因子校正(PFC)應(yīng)用的系統(tǒng)功率損耗,提高功效和可靠性。飛兆半導(dǎo)體的專有SuperFET技術(shù)利用多次外延層來(lái)構(gòu)成補(bǔ)償區(qū)域,以改善導(dǎo)通阻抗性能。全新的FCP11N60和FCPF11N60 SuperFET MOSFET有低FOM值(FOM=RDS(on)x Qgd),與擁有相同RDS(on)水平的產(chǎn)品相比,FCP11N60具有最佳的FOM 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semieonduetor)推出兩種高電壓MOSFET器件,采用飛兆半導(dǎo)體新型S叩erFErr技術(shù),能大幅降低開關(guān)電源(SM卿和功率因子校正卿C)應(yīng)用的系統(tǒng)功率損耗,提高功效和可靠性。飛兆半導(dǎo)體的專有SuperFET技術(shù)利用多次外延層來(lái)構(gòu)成補(bǔ)償區(qū)域,以改善導(dǎo)通阻抗性能。全新
