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影像方面，聯(lián)發(fā)科天璣9000配備了18位HDR-ISP圖像信號處理器（ISP），可支持三顆鏡頭同時拍攝HDR視頻，可支持3.2億像素攝像頭。
另外，聯(lián)發(fā)科天璣9000支持WQHD+144Hz刷新率屏幕或者FHD+180Hz刷新率屏幕，支持HDR10+、Wi-Fi6E、支持藍(lán)牙5.3等。
聯(lián)發(fā)科方面表示，這顆芯片有望于明年季度量產(chǎn)商用，預(yù)計小米、OV等品牌將會搭載。
據(jù)了解，5nm是當(dāng)下全世界半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用最廣泛、的可實現(xiàn)量產(chǎn)的芯片工藝，這項工藝目前只有三星和高通掌握。據(jù)了解，相比現(xiàn)在的5nm工藝制程，4nm進(jìn)一步提升了效能、功耗效率、以及電晶體密度。目前，高通和三星還停留在5nm制程，暫無4nm的確認(rèn)消息，而此次天璣9000的發(fā)布意味著聯(lián)發(fā)科成為全球家推出4nm芯片的芯片廠商。
新一輪之爭開啟
手機芯片乃手機產(chǎn)品的核心，它決定了產(chǎn)品的性能、效率，也是當(dāng)下行業(yè)企業(yè)競爭的高地。每一次芯片的發(fā)布，都將引發(fā)各手機企業(yè)“搶發(fā)新芯片”潮，且將推動手機行業(yè)新一輪換機潮。
隨著此次聯(lián)發(fā)科4nm芯片的率先發(fā)布，且預(yù)計將在明年季度量產(chǎn)，這意味著明年春季消費電子產(chǎn)品發(fā)布旺季，各手機廠商都將以4nm芯片為競爭賣點進(jìn)行角逐，各手機新品也將普遍搭載4nm芯片，此外，由于三星、蘋果暫未發(fā)布4nm芯片，國內(nèi)主流手機廠商或有望借助4nm芯片，向三星、蘋果等手機業(yè)市場主角發(fā)起強力進(jìn)攻，有利于國內(nèi)手機廠商發(fā)力市場。
二、功率半導(dǎo)體發(fā)展關(guān)鍵點
功率半導(dǎo)體屬于特色工藝產(chǎn)品，非尺寸依賴型，在制程方面不追求的線寬，不遵守摩爾定律。數(shù)字芯片更加注重制程的升級，目前處理器等數(shù)字芯片的先進(jìn)制程基本在14 nm 以下，產(chǎn)品更是達(dá)到了5 nm 制程，算力發(fā)展速度較快。而對于功率半導(dǎo)體而言，性能發(fā)展速度較慢，制程基本穩(wěn)定在90 nm-0.35 μm 之間，其發(fā)展關(guān)鍵點主要包括制造工藝、封裝技術(shù)、基礎(chǔ)材料的升級。
發(fā)展關(guān)鍵點1:制造工藝。功率半導(dǎo)體制造工藝的具體難點在于溝槽工藝以及背面工藝(晶圓減薄、高劑量離子注入)等。以IGBT 為例，自上世紀(jì)80 年代被推出后，每一次的性能升級都離不開表面結(jié)構(gòu)及背面工藝的進(jìn)步。
目前中的功率器件(MOSFET和IGBT)均使用溝槽工藝。制備溝槽型器件工藝壁壘高，設(shè)計-制造環(huán)節(jié)須歷經(jīng)長期技術(shù)沉淀。溝槽柵IGBT 的溝槽寬度僅有1-2 μm，而溝槽深度要達(dá)到4 μm 以上。因此，通過酸腐蝕工藝制備溝槽時，須對溝槽的寬度和深度實現(xiàn)控制。此外，溝槽壁亦要盡可能光滑以提升良率。
同時，IGBT 溝槽底部的倒角亦須圓潤、均一以免影響器件耐壓。而溝槽形貌與設(shè)備條件、刻蝕工藝和后處理有著十分緊密的聯(lián)系，須大力協(xié)調(diào)三者之間關(guān)系才可規(guī)模量產(chǎn)溝槽形貌良好的IGBT 產(chǎn)品。因此，功率半導(dǎo)體的制造工藝壁壘較高，需要晶圓廠與芯片設(shè)計部門長期合作，對器件的設(shè)計及制造技術(shù)長期打磨及優(yōu)化。