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發(fā)展關(guān)鍵點(diǎn)2:封裝工藝。由于功率半導(dǎo)體工作環(huán)境極端，對(duì)可靠性和壽命等要求較高，因此封裝工藝同樣是功率半導(dǎo)體的主要關(guān)注點(diǎn)。封裝工藝主要從三種途徑進(jìn)行改進(jìn)：①提高芯片面積與占用面積之比；②將封裝的電阻和熱阻減至最?。虎蹖⒓纳娮韬碗姼袦p至最小。
以TOLL封裝為例，它是一種高效節(jié)省空間的封裝，具有極低的寄生電阻和強(qiáng)大的熱性能，非常適合于高電流和高壓應(yīng)用。根據(jù)EEWORLD，TOLL 封裝引線設(shè)計(jì)中潤(rùn)濕性側(cè)翼，在汽車領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)力明顯，是汽車應(yīng)用中的常用技術(shù)。
車規(guī)級(jí)IGBT模塊封裝技術(shù)壁壘更高，封裝質(zhì)量及散熱重要性突出。車規(guī)級(jí)IGBT 模塊是功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)壁壘的產(chǎn)品之一。車規(guī)級(jí)封裝是保障高溫運(yùn)行、高功率密度、高可靠性的關(guān)鍵因素，不僅僅涉及到芯片表面互連、貼片互連、端子引出、散熱等關(guān)鍵技術(shù)工藝。
發(fā)展關(guān)鍵點(diǎn)3:材料迭代。功率半導(dǎo)體還專注于材料的迭代，現(xiàn)有第三代半導(dǎo)體材料可有效提升原有硅基材料的性能，突破原有器件性能天花板。以SiC、GaN 等第三代半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體可在更高頻、更高壓的環(huán)境下工作，性能上超過原有Si基IGBT 和Si基MOSFET，且原有的成本問題也不斷得到了優(yōu)化。
Huang對(duì)虛擬化、人工智能和機(jī)器人技術(shù)的結(jié)合所帶來的機(jī)會(huì)感到特別興奮。元宇宙將是一個(gè)機(jī)器人可以運(yùn)行數(shù)百萬個(gè)場(chǎng)景來學(xué)習(xí)的地方，然后作為一個(gè)更聰明的機(jī)器人上傳到物理世界。
“我們將在物理世界中擁有數(shù)百萬個(gè)機(jī)器人，但在Omniverse世界中，在虛擬世界中我們將擁有數(shù)十億個(gè)機(jī)器人。這數(shù)十億機(jī)器人正在學(xué)習(xí)成為物理機(jī)器人——你可以讓其中一百萬學(xué)習(xí)如何成為一個(gè)優(yōu)秀的機(jī)器人?！?/p>
同樣，另一種機(jī)器人，可以說——自動(dòng)駕駛軟件——可以在虛擬世界中運(yùn)行數(shù)百萬個(gè)駕駛場(chǎng)景，以學(xué)習(xí)如何地做出反應(yīng)，而沒有在現(xiàn)實(shí)世界中學(xué)習(xí)的安全風(fēng)險(xiǎn)。Wedbush分析師Matt Bryson說："雖然通常我們希望將評(píng)級(jí)的改變與某種負(fù)面的催化劑聯(lián)系起來，但坦率地說，沒有這種情況。"在過去三個(gè)月里，NVDA的情況反而有所改善。"
布賴森將英偉達(dá) (NASDAQ:NVDA)從"跑贏大盤"下調(diào)至"中性"，目標(biāo)價(jià)為300美元，高于200美元，與目前的股價(jià)差不多。
股價(jià)是Wedbush 2024年數(shù)據(jù)的55倍，布賴森說："我們需要將用于確定目標(biāo)價(jià)的倍數(shù)提高到67倍，以證明繼續(xù)保持我們的"跑贏大盤"評(píng)級(jí)是合理的。"
他補(bǔ)充說："即使終端市場(chǎng)條件（除了集成電路短缺）都在向有利于NVDA的方向轉(zhuǎn)變，我們也無法找到一種方法來證明NVDA的目標(biāo)價(jià)格高于其目前的水平"。