同時(shí)，IGBT等功率半導(dǎo)體是逆變器實(shí)現(xiàn)直流轉(zhuǎn)交流的關(guān)鍵所在，在逆變器成本中約占據(jù)13%的價(jià)值。IGBT 和MOSFET 等電力電子開關(guān)器件的高頻率開合特性是逆變器實(shí)現(xiàn)直流電轉(zhuǎn)交流電這一基礎(chǔ)功能的基礎(chǔ)。
逆變器生產(chǎn)所需原材料主要包括電子元器件、機(jī)構(gòu)件以及輔助材料，其中電子元器件包括功率半導(dǎo)體、集成電路、電感磁性元器件、PCB 線路板、電容、開關(guān)器件、連接器等，機(jī)構(gòu)件主要為壓鑄件、鈑金件等，輔助材料主要包括塑膠件等絕緣材料。根據(jù)固德威招股說明書披露，機(jī)構(gòu)件、電感、IGBT 功率器件為3 大核心耗材，占據(jù)近60%的成本，其中IGBT 功率器件占據(jù)約13%，位列第三。
光伏逆變器IGBT需求：根據(jù)測(cè)算，我們預(yù)估2026 年全球光伏IGBT 市場(chǎng)需求將從2020 年的28.3 億元提升至63.5 億元。若假設(shè)國(guó)內(nèi)廠商能拿到65%的市場(chǎng)份額，則國(guó)內(nèi)光伏IGBT 需求將從2020 年的18.4 億元提升至2026 年的41.3 億元，CAGR達(dá)到14.4%。
四、功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)格局
未來國(guó)內(nèi)的功率半導(dǎo)體無論是二極管/晶閘管，還是MOSFET，乃至難度更高的IGBT，市場(chǎng)份額均有望顯著提升，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)替代。
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眾所周知，在芯片制造領(lǐng)域，臺(tái)積電、三星、英特爾等都是該領(lǐng)域的，尤其是臺(tái)積電，憑借著先進(jìn)的技術(shù)和超高的良品率穩(wěn)居芯片代工老大的位置，從蘋果、華為等手機(jī)廠商都將芯片訂單交于臺(tái)積電就能看出來。另外，據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電每年的芯片產(chǎn)能也是全球，將三星、英特爾等甩在身后一大截，其中的原因大家也很清楚，那就是購(gòu)買了ASML大量的EUV光刻機(jī)。然而，美擅自修改規(guī)則后，臺(tái)積電等不能自由出貨，這也直接導(dǎo)致了全球“芯片荒”加劇，而為了解決缺芯問題，老美不僅邀請(qǐng)臺(tái)積電、三星等赴美建廠，甚至還要求臺(tái)積電、三星等芯片廠商在45天內(nèi)交出庫存、訂單信息和銷售記錄等商業(yè)機(jī)密。如果臺(tái)積電等交出芯片數(shù)據(jù)，那么就意味著將失去議價(jià)權(quán)，甚至有可能被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾等反超。