早期的ITO導電膜玻璃是采用銦錫合金作為濺射靶材，進而通過氧化反應形成膜導電膜。但這種材質有這天然的缺陷，比如，它對濺射工藝控制的要求就非常嚴格。因為氧氣流量的輕微波動，可能就會導致氧化反應的不均勻，最終導致膜層的透過率和刻蝕性變差。而如果氧氣流量過大，又會使得靶面濺射效率下降，進而影響膜層的厚度和阻值。 因此，隨著鍍膜技術的不斷發(fā)展和新材料的研發(fā)，氧化靶出現了。這種制作工藝就是將高純度的氧化銦和氧化錫超細粉末，按比例充分混合后、采用粉末冶金工藝燒結成固體靶材。這樣的好處是可以避免上述用銦錫合金作為濺射靶材、通過氧化反應形成導電膜的工藝所出現的大部分問題。

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　　長度、寬度、厚度及允差（±0.20）垂直度（≤0.10%）翹曲度（厚度0.7mm以上≤0.10%，厚度0.55mm以下≤0.15%）微觀波紋度倒邊C倒邊（0.05mm≤寬度≤0.40mm）R倒邊（0.20mm≤寬度≤1.00mm，曲率半徑≤50mm）倒角（浮法方向2.0mmX5.0mm；其余1.5mmx1.5mm）SiO2阻擋層厚度（350?！?0埃，550nm透過率≥90%）ITO層光學、電學、蝕刻性能（蝕刻液：600C 37%HCL:H2O:67%HNO3=50:50:3）